В предлагаемой статье рассматривается новая разработка ОАО «Интеграл», микросхема сегнетоэлектрической оперативной памяти (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) 1666РЕ014. Приводятся электрические характеристики микросхемы, габаритные и установочные размеры микросхемы, приводятся параметры надежности, даются рекомендации по применению и эксплуатации данных микросхем, а также приводятся значения внешних воздействующих факторов. Зарубежным аналогом 1666РЕ014 является микросхема FM28V100, производства американской фирмы «Ramtron» (сейчас выкуплена другой американской компанией Cypress Semiconductor).
Микросхема 1666РЕ014 представляет собой сегнетоэлектрическое энергонезависимое ОЗУ информационной емкостью 1 Мбит с организацией 128К×8 бит. Читать далее Микросхема 1666РЕ014