Транзистор КТ315 характеристики, цоколевка, маркировка и зарубежные аналоги

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ315 и КТ315-1 (комплементарная им пара КТ361, КТ361-1, а также КТ361-2 и КТ361-3). Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ315 и КТ315-1 выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ315 изготавливается в корпусе КТ-13. В последствии КТ315 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную «1» в обозначении, например КТ315Г1. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. Транзисторы KT315H и КТ315Н1 предназначены для применения в цветном телевидении. Транзисторы KT315P и КТ315Р1 предназначены для применения в видеомагнитофоне «Электроника — ВМ». Транзисторы изготавливают в климатическом исполнении УХЛ и в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

КТ315 выпускался предприятиями: «Электроприбор» г. Фрязино, «Квазар» г. Киев, «Континент» г. Зеленодольск, «Кварцит» г. Орджоникидзе, ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, ПО «Электроника» г. Воронеж, в 1970 г. их производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI.

В результате переговоров в 1970 году Воронежским объединением «Электроника» в плане сотрудничества было передано в Польшу производство транзисторов КТ315. Для этого в Воронеже полностью демонтировали цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих переправили, смонтировали и запустили его в Варшаве. Этот научно производственный центр по электронике, созданный в 1970 году был  производителем полупроводников в Польше. Unitra CEMI в конечном итоге обанкротилась в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. Сайт музей предприятия Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/. К концу существования СССР общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область.

Пример обозначения транзисторов КТ315 при заказе и в конструкторской документации другой продукции: «Транзистор КТ315А  ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторов КТ315-1: «Транзистор КТ315А1  ЖК.365.200 ТУ/02».

Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1 представлены в таблице 1.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

ТипСтруктураPК max,
PК* т. max,
мВт
fгр,
МГц
UКБО max,
UКЭR*max,
В
UЭБО max,
В
IК max,
мА
IКБО,
мкА
h21э,
h21Э*
CК,
пФ
rКЭ нас,
Ом
rб,
Ом
τк,
пс
KT315A1
n-p-n
150
≥250
25
6
100
≤0,5
20...90 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315Б1
n-p-n
150
≥250
20
6
100
≤0,5
50...350 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315В1
n-p-n
150
≥250
40
6
100
≤0,5
20...90 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315Г1
n-p-n
150
≥250
35
6
100
≤0,5
50...350 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315Д1
n-p-n
150
≥250
40
6
100
≤0,5
20...90 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315Е1
n-p-n
150
≥250
35
6
100
≤0,5
20...90 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315Ж1
n-p-n
100
≥250
15
6
100
≤0,5
30...250 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315И1
n-p-n
100
≥250
60
6
100
≤0,5
30 (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
KT315Н1
n-p-n
150
≥250
20
6
100
≤0,5
50...350 (10 В; 1 мА)
≤7
KT315Р1
n-p-n
150
≥250
35
6
100
≤0,5
150...350 (10 В; 1 мА)
≤7
КТ315А
n-p-n
150 (250*)
≥250
25
6
100
≤0,5
30...120* (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤300
КТ315Б
n-p-n
150 (250*)
≥250
20
6
100
≤0,5
50...350* (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤500
КТ315В
n-p-n
150 (250*)
≥250
40
6
100
≤0,5
30...120* (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤500
КТ315Г
n-p-n
150 (250*)
≥250
35
6
100
≤0,5
50...350* (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤40
≤500
КТ315Д
n-p-n
150 (250*)
≥250
40* (10к)
6
100
≤0,6
20...90 (10 В; 1 мА)
≤7
≤30
≤40
≤1000
КТ315Е
n-p-n
150 (250*)
≥250
35* (10к)
6
100
≤0,6
50...350* (10 В; 1 мА)
≤7
≤30
≤40
≤1000
КТ315Ж
n-p-n
100
≥250
20* (10к)
6
50
≤0,6
30...250* (10 В; 1 мА)
≤7
≤25
≤800
КТ315И
n-p-n
100
≥250
60* (10к)
6
50
≤0,6
≥30* (10 В; 1 мА)
≤7
≤45
≤950
КТ315Н
n-p-n
150
≥250
35* (10к)
6
100
≤0,6
50...350* (10 В; 1 мА)
≤7
≤5,5
≤1000
КТ315Р
n-p-n
150
≥250
35* (10к)
6
100
≤0,5
150...350* (10 В; 1 мА)
≤7
≤20
≤500

Примечание:
1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В;
2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера;
4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора;
5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
8. rб – сопротивление базы;
9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В;
11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно;
13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала;
14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Габариты транзистора КТ315

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1). Транзисторы КТ315 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315

Габариты транзистора КТ315-1

Тип корпуса транзистора КТ-26. Масса одного транзистора не более 0,3 г. Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 2 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы КТ315-1 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315-1 приведены на рисунке 2.

Транзистор КТ315-1 вар.2
Рисунок 2 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315-1

Цоколевка транзисторов

Если расположить транзистор КТ315 маркировкой от себя (как показано на рисунке 1) выводами вниз, то левый вывод это база, центральный – коллектор, а правый – эмиттер.

Если расположить транзистор КТ315-1 наоборот маркировкой к себе (как показано на рисунке 2) выводами также вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный – коллектор, а правый – база.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистораМаркировочная метка на срезе
боковой поверхности корпуса
Маркировочная метка
на торце корпуса
KT315A1
Треугольник зеленого цвета
Точка красного цвета
KT315Б1
Треугольник зеленого цвета
Точка желтого цвета
KT315В1
Треугольник зеленого цвета
Точка зеленого цвета
KT315Г1
Треугольник зеленого цвета
Точка голубого цвета
KT315Д1
Треугольник зеленого цвета
Точка синего цвета
KT315Е1
Треугольник зеленого цвета
Точка белого цвета
KT315Ж1
Треугольник зеленого цвета
Две точки красного цвета
KT315И1
Треугольник зеленого цвета
Две точка желтого цвета
KT315Н1
Треугольник зеленого цвета
Две точки зеленого цвета
KT315Р1
Треугольник зеленого цвета
Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с2 (10g );
– линейное ускорение 1000 м/с2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10-7 1/ч. Наработка транзисторов tн  = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3. Техническую информацию (datasheet) на зарубежные аналоги транзистора КТ315 также можно скачать в таблице ниже. Указанные ниже цены соответствуют состоянию на 08.2018 года.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный
транзистор
Зарубежный
аналог
Возможность
купить
Предприятие
производитель
Страна
производитель
КТ315А
BFP719
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ315Б
BFP720
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ315В
BFP721
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ315Г
BFP722
нет
Unitra CEMI
Польша
КТ315Д
2SC641
есть
Hitachi
Япония
КТ315Е
2N3397
есть ~ 4$
Central Semiconductor
США
КТ315Ж
2N2711
есть ~ 9$
Sprague electric corp.
США
BFY37, BFY37i
есть
ITT Intermetall GmbH
Германия
КТ315И
2SC634
есть ~ 16$
New Jersey Semiconductor
США
есть
Sony
Япония
КТ315Н
2SC633
есть ~ 1$
Sony
Япония
КТ315Р
BFP722
нет
Unitra CEMI
Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Основные технические характеристики

Основные электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке приведены в таблице 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора приведены в таблице 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ315 приведены на рисунках 3 – 8. Зависимости электрических параметров транзисторов КТ315 от режимов и условий их эксплуатации представлены на рисунках 9 – 19.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения)
единицы измерения
Буквенное
обозначение
Норма
параметра
Температура, °С
не менее
не более
Граничное напряжение (IC=10 мА), В
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н
КТ315В, КТ315Д, КТ315И
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р
U(CEO)

15
30
25
25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IC=20 мA, IB=2 мА), В
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р
КТ315Д, КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
UCEsat


0,4
0,6
0,5
0,9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IC=70 мA, IB=3,5 мА), В КТ315Н
UCEsat
0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер
(IC=20 мА, IB=2 мА), В
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P
КТ315Д, КТ315Е
КТ315Ж
КТ315И
UBEsat


1,0
1,1
0,9
1,35
Обратный ток коллектора (UCB=10 В), мкА
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р
КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И
ICBO

0,5
0,6
25, -60
Обратный ток коллектора (UCB=10 В), мкА
КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р
КТ315Д, КТ315Е
ICBO

10
15
100
Обратный ток эмиттера (UEB=5 В) мкА
КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н
КТ315И
КТ315Р
IEBO

30
50
3
25
Обратный ток коллектор-эмиттер,
(RBE=10 кОм UCE=25 В), мА, KT3I5A
(RBE=10 кОм UCE=20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н
(RBE=10 кОм UCE=40 В), мА КТ315В
(RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Г
(RBE=10 кОм UCE=40 В), мА, КТ315Д
(RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Е
(RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Р
ICER

0,6
0,6
0,6
0,6
1,0
1,0
0,005
Обратный ток коллектор-эмиттер
(RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Р
ICER
0,01
100
Обратный ток коллектор-эмиттер
(UCE=20 В), мА, КТ315Ж
(UCE=60 В), мА, КТ315И
ICES

0,01
0,1
25, -60
Обратный ток коллектор-эмиттер
(UCE=20 В), мА, KT3I5Ж
(UCE=60 В), мА, KT3I5И
ICES

0,1
0,2
100
Статический коэффициент передачи тока
(UCB = 10 В, IE= 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Р
h21E


30
50
20
30
30
150


120
350
90
250

350
25
Статический коэффициент передачи тока
(UCB = 10 В, IE= 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Р
h21E


30
50
20
30
30
150


250
700
250
400

700
100
Статический коэффициент передачи тока
(UCB = 10 В, IE= 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Р
h21E


5
15
5
5
5
70


120
350
90
250

350
-60
Модуль коэффициента передачи тока
на высокой частоте (UCB = 10 В, IE= 5 мА, f = 100 МГц)
|h21E|
2,5
25
Емкость коллекторного перехода
(UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ
CC
7
25

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр,
единица измерения
ОбозначениеНорма параметра
КГ315А
КГ315Б
КГ315В
КГ315Г
КТЗ15Д
КГ315Е
КГ315Ж
КГ315И
КТ315Н
КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)
UCERmax
25
20
40
35
40
35
20
35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)
UCES max
20
60
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)
UCB max
25
20
40
35
40
35
20
35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)
UEB max
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)
IC max
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)
PC max
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С
tj max
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125

Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PC max рассчитывается по формуле:

P_{C max}=125\cdot t_{atb}/R_{t hj\alpha}

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при UCE = 0, tатв = (25±10) °С
Рисунок 3 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
при UCE = 0, tатв = (25±10) °С
Рисунок 4 – Типовая входная характеристика транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при UCE = 0, tатв = (25±10) °С
Рисунок 4 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
при UCE = 0, tатв = (25±10) °С
Рисунок 5 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И при tатв = (25±10) °С
Рисунок 5 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И
при tатв = (25±10) °С
Рисунок 6 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при tатв = (25±10) °С
Рисунок 6 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при tатв = (25±10) °С
Рисунок 7 – Типовые выходные характеристики транзистора КТ315Ж при tатв = (25±10) °С
Рисунок 7 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Ж при tатв = (25±10) °С
Рисунок 8 – Типовые выходные характеристики транзистора КТ315Р при tатв = (25±10) °С
Рисунок 8 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Р при tатв = (25±10) °С
Рисунок 9 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 9 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при IC/IB = 10,
tатв = (25±10) °С
Рисунок 10 – Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 10 – Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 11 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И при UCB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 11 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И при UCB = 10,
tатв = (25±10) °С
Рисунок 12 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при UCB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 12 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при UCB = 10,
tатв = (25±10) °С
Рисунок 13 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Ж при UCB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 13 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Ж при UCB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 14 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Р при UCB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 14 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Р при UCB = 10, tатв = (25±10) °С
Рисунок 15 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С
Рисунок 15 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С
Рисунок 16 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315А
Рисунок 16 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315А
Рисунок 17 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н,КТ315Р
Рисунок 17 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н,КТ315Р
Рисунок 18 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315А
Рисунок 18 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для
КТ315А
Рисунок 19 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера
Рисунок 19 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера
Транзистор КТ315 характеристики, цоколевка, маркировка и зарубежные аналоги: 7 комментариев
  1. Отличить транзисторы друг от друга можно по букве на лицевой стороне транзистора, у КТ361 — буква пишется посередине корпуса , у КТ315 — в левом верхнем углу.

  2. При рабочих токах менее 5 ма коэффициент усиления у транзисторов КТ315 и КТ361 резко падает, и эффективность использования характеристик транзисторов снижается.

  3. Добрый день! Спасибо за очень подробную информацию о транзисторе кт315. На мой взгляд ваш сай дает самую актуальную и полную информацию по этой теме во всем рунете. Спасибо за проделанную работу.

  4. Телевизоры УЛПЦТ вобрали в себя с одной стороны наработки, созданные заводами (прежде всего Ленинградским и Московскими) в процессе разработки и производства неунифицированных цветных телевизоров ЛПЦТ-59 («Радуга-701», «Рубин-401»), а с другой — новые технические решения, связанные с началом массового производства транзисторов: высокочастотных кремниевых КТ315 и мощных германиевых П213 — П216. Это позволило выполнить полностью полупроводниковыми радиотракт и кадровую развертку. Телевизоры УЛПЦТ (в отличии от более поздних моделей) не были прямыми клонами зарубежных аппаратов, хотя создателями телевизоров изучался опыт западных фирм, прежде всего Philips . Не были прямыми клонами западных образцов и электронные лампы, специально созданные для этой серии: 6Ж52П, 6П42С, 6П45С, 6Ф12П. Более того, эти лампы были более совершенными по сравнению с европейскими аналогичного назначения. Например, лампа 6П45С, хоть и была взаимозаменяема с EL509, но имела жесткие рамочные сетки, камерный анод и баллон, изготовленный из жаропрочного стекла. Ряд технических решений (например, полностью транзисторная кадровая развертка), примененных в УЛПЦТ на момент их разработки были передовыми не только в советском, но и в мировом телевизоростроении

  5. Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

  6. Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной . Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны кристала, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки . До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной . Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте f6 в 2 раза (ГТ308 — 120 МГц, КТ315 — 250 МГц), по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.

  7. КТ361 — биполярный транзистор p-n-p -проводимости. Комплементарен к КТ315, благодаря чему часто использовался в паре с последним в бестрансформаторных двухтактных схемах. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда между двумя дефисами .

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *